本文是学习GB-T 29504-2013 300mm 硅单晶. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了直径300 mm、p 型、\<100>晶向、电阻率0.5 Q ·cm～20 Ω ·cm
硅单晶的技术要求、
试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC 用线宽0.
13μm 及以下技
术需求的300 mm 硅单晶抛光片。
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件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551—2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
滚圆后的硅单晶直径为301 mm, 允许偏差士0.3 mm。
其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允
许偏差由供需双方商定。
4.2.1 硅单晶的电阻率和径向电阻率变化应符合表1的规定。
表 1 硅单晶电学参数
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GB/T 29504—2013
4.2.2 径向电阻率变化如要求按照其他方案进行，由供需双方商定。
4.3.1 硅单晶晶向为\<100>晶向。
4.3.2 硅单晶晶向偏离度不大于1°。
硅单晶的间隙氧含量应不大于1.0×10¹⁸ 原子数/cm³,
氧含量的径向变化具体指标可按需方要求
提供。
硅单晶的碳含量应不大于2×10¹⁶ 原子数/cm³, 或由供需双方商定提供。
4.6.1 硅单晶的位错密度应不大于10个/cm²。
4.6.3 硅单晶的其他缺陷要求由供需双方商定。
硅单晶的体金属(铁)含量应不大于5×10¹原子数/cm³, 或由供需双方商定提供。
滚圆后的硅单晶应有区分头尾的标记。
5.1 硅单晶的直径测量按GB/T 14140进行。
5.2 硅单晶导电类型测量按GB/T 1550进行。
5.3 硅单晶的电阻率测量按GB/T 1551—2009 中直排四探针法进行。
5.4 硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T 11073—2007 的 B 方案进行。
5.5 硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T 1555进行。
5.6 硅单晶的氧含量按GB/T 1557进行。
5.7 硅单晶的碳含量按GB/T 1558进行。
5.8 硅单晶的晶体完整性检验按GB/T 1554 进行。
5.9 硅单晶的体金属(铁)含量按 YS/T679 进行。
5.10 硅单晶的头尾标记采用目视检测进行。
6.1.1
产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质
量保证书。
GB/T 29504—2013
6.1.2
需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符
时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。
硅单晶以批的形式提交验收，每批应由按照用户要求的同一规格的硅单晶锭组成。
6.3.1
每根硅单晶的检验项目有：直径、导电类型、晶向及晶向偏离度、头尾标记。
6.3.2
供需双方协商一致，可对下列项目进行检验：电阻率、径向电阻率变化、氧含量、碳含量、晶体完
整性、体金属(铁)含量。
关于硅单晶的取样位置及取样数量的规定见表2。
表 2 硅单晶取样规定
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6.5.1
直径、导电类型、晶向及晶向偏离度和头尾标记有一项不合格，判该硅单晶为不合格。
6.5.2
电阻率、径向电阻率变化、氧含量、碳含量、晶体完整性、体金属(铁)含量检验结果有一项不合
格，判该批产品不合格。
7.1.1
硅单晶用聚苯烯(泡沫)逐根包装，然后将经过包装的晶锭装入包装箱内，并装满填充物，防止晶
锭松动。
7.1.2 包装箱外侧应有"小心轻放"、"防潮"、"易碎"等标识，并标明：
GB/T 29504—2013
a) 需方名称、地点；
b) 产品名称、牌号；
c) 产品件数及重量(毛重/净重);
d) 供方名称。
7.2.1 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。
7.2.2 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。
每批产品应有质量证明书，其内容应包括：
a) 供方名称；
b) 产品名称及规格、牌号；
c) 产品批号；
d) 产品净重及单晶根数；
e) 各项参数检验结果和检验部门的印记；
f) 出厂日期。
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